Downloadプロセスシミュレーション
Particle-in-Cell法によるドライエッチング プラズマシミュレータ
K-PIC
チャンバ内のプラズマ挙動を、荷電粒子の運動を直接計算して高精度に解析
プラズマ中のイオンと電子のエネルギー分布を解析
ウェハ上でのイオン入射角とエネルギー分布を解析
RLC 外部回路、任意波形マルチ周波数、エッジリング形状入力に対応
GPUで超並列高速計算
半導体ドライエッチング工程解析用３次元形状シミュレータ
K-SPEED
半導体およびディスプレイ工程におけるエッチングおよび蒸着工程の物理化学的現象を再現し、現場で使われる工程変数による半導体構造の３次元形状をシミュレーション
Void, Etch stop, Polymer passivation effect, Etch rateなどの現象を予測
GPU並列によりイオン・中性種の輸送計算を高速化
■アプリケーション
プラズマ表面化学反応グローバルシミュレータ
K-0DPLAZMA
半導体およびディスプレイ製造向けプラズマ発生装置の解析
最適の工程変数の算出および実験での測定が難しい物理量の予測
バルクプラズマと表面の相互作用を解析（シース解析）
